%0 Journal Article
%T Investigation of ICP Etching Damage of InAsP/InP Strained Multiple Quantum Wells<br>ICP刻蚀对InAsP/InP应变多量子阱的损伤
%A Cao Meng
%A Wu Huizhen
%A Lao Yanfeng
%A Huang Zhanchao
%A Liu Cheng
%A Zhang Jun
%A Jiang Shan
%A <br>曹萌
%A 吴惠桢
%A 劳燕锋
%A 黄占超
%A 刘成
%A 张军
%A 江山
%J 半导体学报
%D 2006
%I 
%X 为了研究ICP刻蚀对InAsP/InP应变多量子阱的损伤情况,用气态源分子束外延技术生长了经特殊设计的InAsP/InP应变多量子阱结构.采用感应耦合等离子体对其进行刻蚀.通过测量刻蚀前、后量子阱结构的光致发光谱,确定了刻蚀75nm后样品损伤深度约为40nm,应用Rahman模型计算得到的理论损伤深度为43.5nm,两者符合得比较好.通过分析损伤产生的机理,认为产生损伤的主要原因是离子隧穿.
%K dry etching
%K strained multiple quantum wells
%K PL spectra
%K damage<br>干法刻蚀
%K 应变量子阱
%K 光致发光谱
%K 损伤
%K 刻蚀
%K 应变多量子阱
%K 损伤深度
%K Damage
%K Etching
%K Investigation
%K Multiple
%K Quantum
%K Wells
%K 隧穿
%K 机理
%K 分析
%K 比较
%K 理论
%K 计算
%K 模型
%K 应用
%K 样品
%K 光致发光谱
%K 多量子阱结构
%K 测量
%K 感应耦合等离子体
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=AD4FC59AA0C78B62&yid=37904DC365DD7266&vid=DB817633AA4F79B9&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=4609832E4B5C797B&eid=B1F98368A47B8888&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=16