%0 Journal Article
%T GaN——第三代半导体的曙光
%A 梁春广
%A 张冀
%J 半导体学报
%D 1999
%I 
%X 自从蓝色ＧａＮ／ＧａＩｎＮＬＥＤｓ研制成功之后，氮化物逐渐成为化合物半导体领域中一颗耀眼的新星．简要介绍了ＧａＮ的基本特性．探讨了材料的生长技术，包括衬底的选择和外延方法．最后给出了ＧａＮ基器件，如ＬＥＤｓ、ＬＤｓ、ＦＥＴｓ和探测器等的发展现状，同时描绘了氮化物器件的应用领域和未来的发展前景．
%K 氮化镓
%K 化合物半导体
%K 宽带隙
%K 半导体材料
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=CFD73B97AF50F0AC4CD662969BB30DEF&yid=B914830F5B1D1078&vid=A04140E723CB732E&iid=0B39A22176CE99FB&sid=CFAC5CB624A41AFD&eid=A4FA325EA800C820&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=43&reference_num=0