%0 Journal Article
%T Sol-Gel法制备的铁电薄膜和Pt/Ti下电极的反应离子刻蚀技术
%A 陈峥
%A 汤庭鳌
%A 邹斯洵
%J 半导体学报
%D 1999
%I 
%X 为制备Ａ１／ＰＺＴ／Ｐｔ／Ｔｉ电容，研究了采用ＳＦ６／Ａｒ等离子体对Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３及Ｐｔ／Ｔｉ底电极进行反应离子刻蚀（ＲＩＥ）的技术．较系统地研究了ＲＦ功率，ＳＦ６／Ａｒ流量比及气压对刻蚀速率的影响，找到了对ＰＺＴ及Ｔｉ进行ＲＩＥ的优化工艺条件．在不同的条件下得到对ＰＺＴ的刻蚀速率为２～７ｎｍ／ｍｉｎ；采用纯Ａｒ气体时Ｐｔ的刻蚀速率为２～６ｎｍ／ｍｉｎ；对于Ｔｉ可用ＨＣｌ及Ｈ２Ｏ２溶液进行腐蚀
%K 铁电薄膜
%K 反应离子刻蚀
%K Sol－Gel法
%K PZT
%K 铂／钛
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=13B3B121606C94E6&yid=B914830F5B1D1078&vid=A04140E723CB732E&iid=0B39A22176CE99FB&sid=9D453329DCCABB94&eid=5BC9492E1D772407&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=4&reference_num=0