%0 Journal Article
%T GaAs MESFET栅的取向效应——Ⅰ.解析模型
%A 黄庆安
%A 吕世骥
%A 童勤义
%J 半导体学报
%D 1992
%I 
%X 本文根据压电效应模型,详细研究了(100),(011)和(111)衬底上 GaAs MESFET栅的取向特性.通过合适的正交变换,求出了压电电荷密度.考虑到沟道-衬底界面的耗尽层,得到了阈值电压随栅取向变化的解析表达式.结果与两维数值分析基本一致.
%K 阈值电压
%K 栅
%K 取向效应
%K 漂移
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=1620FF57A64B77E2&yid=F53A2717BDB04D52&vid=FC0714F8D2EB605D&iid=E158A972A605785F&sid=FCD27DC5E1F2EEE7&eid=3D9746C06EC12B45&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=4