%0 Journal Article
%T Influence of Postdeposition Annealing on Crystallinity of Zinc Oxide Films<br>退火处理对ZnO薄膜结晶性能的影响
%A 吕建国
%A 叶志镇
%A 黄靖云
%A 赵炳辉
%A 汪雷
%J 半导体学报
%D 2003
%I 
%X 研究了退火处理对Zn O薄膜结晶性能的影响.Zn O薄膜由直流反应磁控溅射技术制得,并在O2 气氛中不同温度(2 0 0～10 0 0℃)下退火,利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和X射线光电子能谱(XPS)对其结晶性能进行了研究,提出了一个较为完善的Zn O薄膜退火模型.研究表明:热处理可使c轴生长的薄膜取向性增强;随退火温度的升高,薄膜沿c轴的张应力减小,压应力增加;同时晶粒度增大,表面粗糙度也随之增加.在6 4 0℃的应力松弛温度(SRT)下,Zn O薄膜具有很好的c轴取向,沿c轴的应力处于松弛状态,晶粒度不大,表面粗糙度较小,此时Zn O薄膜的结晶性能最优.
%K ZnO films
%K postdeposition annealing
%K annealing model
%K crystallinity<br>ZnO薄膜
%K 退火处理
%K 退火模型
%K 结晶性能
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=DB3C7D3A4A84C38F&yid=D43C4A19B2EE3C0A&vid=B91E8C6D6FE990DB&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=B3AAD7DC3C912B50&eid=FA98B938D085B826&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=26&reference_num=25