%0 Journal Article
%T Channel Hot-Carrier Effects in Fluorinated Short-Channel MOSFET<br>注F短沟MOSFET的沟道热载流子效应
%A HAN De-dong
%A ZHANG Guo-qiang
%A YU Xue-feng
%A REN Di-yuan[WTBX]
%A <br>韩德栋
%A 张国强
%A 余学峰
%A 任迪远
%J 半导体学报
%D 2001
%I 
%X 通过对短沟 NMOSFET的沟道热载流子效应研究 ,发现在短沟 NMOSFET栅介质中引入 F离子能明显抑制因沟道热载流子注入引起的阈电压正向漂移和跨导下降以及输出特性曲线的下移 .分析讨论了 F抑制沟道热载流子损伤的机理 . Si— F键释放了 Si/Si O2 界面应力 ,并部分替换了 Si— H弱键是抑制热载流子损伤的主要原因 .
%K incorporating F
%K MOSFET
%K hot carrier<br>注F
%K MOSFET
%K 热载流子
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=1B214A54DBDDDBE2&yid=14E7EF987E4155E6&vid=BC12EA701C895178&iid=94C357A881DFC066&sid=54E527C5B72E59D8&eid=BA3451F2C9E4FB70&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=9