%0 Journal Article
%T S-Band 0.3W AlGaAs/GaAs HBT for Power Application<br>S波段0.3W AlGaAs/GaAsHBT功率管
%A YAN Bei-ping
%A Zhang He-Ming
%A Dai Xian-Ying
%A <br>严北平
%A 张鹤鸣
%A 戴显英
%J 半导体学报
%D 2001
%I 
%X 采用标准的湿法刻蚀工艺研制出了 S波段工作的非自对准 Al Ga As/ Ga As异质结双极晶体管 .对于总面积为 8× 2 μm× 10 μm的 HBT器件 ,测得其直流电流增益大于 10 ,电流增益截止频率 f T 大于 2 0 GHz,最高振荡频率fmax大于 30 GHz.连续波功率输出为 0 .3W,峰值功率附加效率 41%
%K AlGaAs/GaAs HBT
%K power performance
%K S
%K band<br>AlGaAs/GaAs异质结双极晶体管
%K 功率特性
%K S波段
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=53832DA54871C8EA&yid=14E7EF987E4155E6&vid=BC12EA701C895178&iid=38B194292C032A66&sid=406BF8ED3BCE1927&eid=A5111BA190517959&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=7