%0 Journal Article
%T 发射极-基极-发射极结构PNP型AlGaAs/GaAsHBT电流增益的理论分析
%A 严北平
%A 张鹤鸣
%A 戴显英
%J 半导体学报
%D 2001
%I 
%X 建立了 PNP型异质结双极晶体管基区少数载流子浓度的解析模型 .理论分析了发射极 -基极 -发射极布局的PNP型 HBT的电流增益 .讨论了不同基极电流成分 ,如外基区表面复合电流 ,基极接触处的界面复合电流 ,基区体内复合电流 ,以及刻蚀台面处的台面复合电流对电流增益的影响
%K HBT
%K 解析模型
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=9DA4579AD95179BFE6245A1F43224B61&yid=14E7EF987E4155E6&vid=BC12EA701C895178&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=67969BA850333433&eid=9C65ADEB5990B252&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0