%0 Journal Article
%T An 8W X Band AlGaN/GaN Power HEMT<br>8W AlGaN/GaN HEMT功率器件的研制
%A Liu Guoguo
%A Zheng Yingkui
%A Wei Ke
%A Li Chengzhan
%A Liu Xinyu
%A He Zhijing
%A <br>刘果果
%A 郑英奎
%A 魏珂
%A 李诚瞻
%A 刘新宇
%A 和致经
%J 半导体学报
%D 2008
%I 
%X 报道了基于国产衬底以及国产外延的AlGaN/GaN HEMT X波段功率器件的研究进展.利用国产衬底以及外延材料,优化了器件栅场板的结构,研制成功栅长0.35μm,栅宽为lmm的微波功率器件.该器件输出电流密度达到0.83A/mm,击穿电压大于100V,跨导为236mS/mm,截止频率(fT)达到30GHz,最大振荡频率(fmax)为32GHz,8GHz下在片进行连续波测试,漏端电压为40V时测试得到功率增益4.9dB,输出功率达8W,功率附加效率(PAE)为45%.
%K AlGaN/GaN
%K HEMT
%K microwave power
%K gate-connected field plate<br>氮化镓
%K 高电子迁移率晶体管
%K 微波功率
%K 栅场板
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=6DA2A0ACC5EFB8C65C585DB85C0F319A&yid=67289AFF6305E306&vid=771469D9D58C34FF&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=98B9E7974D86A0EF&eid=37E1CFF130ACDBB2&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=5