%0 Journal Article
%T Design of Low-Voltage Low Noise Amplifiers with High Linearity<br>高线性低电压低噪声放大器的设计(英文)
%A Cao Ke
%A YANG Huazhong
%A Wang Hui
%A <br>曹克
%A 杨华中
%A 汪蕙
%J 半导体学报
%D 2004
%I 
%X 研究了一种具有高线性的CMOS低噪声放大器,其工作电压可以低于1V.在这个电路中,加一个工作在线性区的辅助MOS管以提高线性特性.仿真表明这种方法可以提高输入三阶交截点,其代价远小于传统方法为获得1dB线性度改善而必须增加1dB功耗的代价.为了降低该电路中的共栅PMOS管的有载输入阻抗,不使其源极处的电压增益过大而降低电路的线性特性,必须优化其尺寸.仿真使用的模型是TSMC0.18μm射频CMOS工艺库,仿真工具是Cadence的SpectreRF
%K low-voltage
%K radio frequency
%K CMOS
%K low noise amplifier
%K linearity<br>低电压
%K 射频
%K CMOS
%K 低噪声放大器
%K 线性特性
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=7DD4168DE5E96105&yid=D0E58B75BFD8E51C&vid=C5154311167311FE&iid=708DD6B15D2464E8&sid=A268BE393F034483&eid=01471B003B2963CC&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=16