%0 Journal Article
%T InP系量子阱相位调制器的理论设计
%A 陈建新
%A 邬祥生
%J 半导体学报
%D 1994
%I 
%X 本文应用量子限制Ｓｔａｒｋ效应理论计算了ＩｎＰ系量子阱中激子的波函数及激子的能量．在此基础上，计算了不同电场条件下激子能量的红移，以及吸收系数的变化．然后，根据Ｋ－Ｋ关系计算了折射率的变化，得到了一定强度外电场条件下，折射率变化与波长、组份及阱宽的关系．按照我们的计算，折射率变化可达２.５４e－２．
%K 相位调制器
%K 半导体量子阱
%K 光通信
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=62A574A60ED988EB&yid=3EBE383EEA0A6494&vid=23CCDDCD68FFCC2F&iid=E158A972A605785F&sid=B78CD622C1934236&eid=002786F01A86D891&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0