%0 Journal Article
%T 直接法-多次矩法联合计算高能离子注入化合物靶损伤分布
%A 江炳尧
%A 杨根庆
%A 邹世昌
%J 半导体学报
%D 1992
%I 
%X 高能注入离子在固体中的损伤分布一般采用直接法计算.但是在化合物靶的情况下,各类靶反冲原子所淀积的损伤能及其分布矩难以正确估算,直接影响直接法的运用.本文引入多次矩法予以解决,取得了良好的效果.
%K 离子注入
%K 化合物
%K 靶损伤
%K 分布
%K 计算
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=3529BF668140398B4B5FC32D82D4EF79&yid=F53A2717BDB04D52&vid=FC0714F8D2EB605D&iid=38B194292C032A66&sid=7EBE588F611589FC&eid=D46BA3D3D4B3C585&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0