%0 Journal Article
%T ZnSe-ZnTe应变层超晶格的Raman光谱研究
%A 崔捷
%A 王海龙
%A 干福熹
%A 韩和相
%A 李国华
%A 汪兆平
%J 半导体学报
%D 1992
%I 
%X 本文报道室温下的Ⅱ-Ⅵ族宽禁带半导体化合物 ZuSe-ZnTe应变层超晶格的 Raman光谱,得到纵光学声子频移和超晶格结构参数的关系.当超晶格每层厚度大于40A时,纵光学声子模频移随层厚变化不明显,基本稳定在一定值;当层厚小于40A时,纵光学声子模频率随层厚减小而相对其体材料值的变化越来越大,并且应力效应引起的频移比限制效应引起的红移要大得多.ZnSe纵光学声子模频率随层厚减小向低波数移动,ZnTe纵光学声子模频率向高波数移动.从Raman光谱估计这种应变层超晶格的临界厚度约为40A.
%K ZnSe－ZnTe
%K 超晶格
%K 拉曼光谱
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=3529BF668140398B34A0A958619D3D13&yid=F53A2717BDB04D52&vid=FC0714F8D2EB605D&iid=38B194292C032A66&sid=ED01F5AE50BE09C0&eid=DABEF202280E7EF1&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=2