%0 Journal Article
%T 用静态升华法生长HgI_2大单晶体及其性质的观测
%A 李正辉
%A 朱世富
%A 陈观雄
%A 赵北君
%J 半导体学报
%D 1992
%I 
%X 本文报道了用改进了的静态升华法生长大尺寸优质HgI_2单晶,并对晶体的完整性进行了观测,测量了晶体的透过率和光电特性.实验结果表明,采用这种方法生长HgI_2单晶,设备简单,便于控制成核和生长条件,有利于获得低位错密度大单晶体,是一种行之有效的方法.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=7AD4A7FD90B146FE28EF10CCC9BA5E63&yid=F53A2717BDB04D52&vid=FC0714F8D2EB605D&iid=38B194292C032A66&sid=F1177A9DF1349B63&eid=43608FD2E15CD61B&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0