%0 Journal Article
%T Effect of New Generated Interface Traps on Fowler-Nordheim Voltage Shift<br>新生界面陷阱对Fowler-Nordheim电压漂移的影响
%A Tan Changhua/
%A <br>谭长华
%A 许铭真
%A 王阳元
%J 半导体学报
%D 1989
%I 
%X 用陷阱俘获模型和恒流方法研究了新生界面陷阱对薄氧化层MOS电容器的F-M(Fow-ler-Nordheim)电压(V_(FN))的影响,得到了电压漂移量△V_(FN)随时间变化的解析表述式.分析结果表明:(d△V_(FN))/(dt)vs △V_(FN)曲线可以用几段直线描述.采用线性化技术,可以方便地识别多陷阱现象.并分别提取原生陷阱及新生陷阱参数.实验结果表明:在恒流隧道电子注入的初始阶段,F-N电压漂移量主要由新生界面陷阱的电子俘获过程所决定,紧接着是原生氧化层体陷阱的电子俘获,然后是新生氧化层体陷阱的电子俘获.
%K Thin SiO_2
%K New generated interface traps
%K Bulk oxide traps
%K constant current stress
%K Linearizing technique<br>界面陷阱
%K 氧化层
%K 电压漂移
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=71FE90CD1688F30730FAE9C2DF9BAF8A&yid=1833A6AA51F779C1&vid=F3090AE9B60B7ED1&iid=59906B3B2830C2C5&sid=46CB56AABC2765FF&eid=58AAF01A97187A3A&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=3