%0 Journal Article
%T Photoelastic Effect and Lateral Optical Confinement in InGaAsP/InP Double Heterostructures<br>在InGaAsP/InP双异质结构中的光弹效应及其对侧向光的限制作用
%A XING Qi jiang
%A XU Wan jin
%A WU Zuo bing
%A <br>邢启江
%A 徐万劲
%A 武作兵
%J 半导体学报
%D 2001
%I 
%X 从理论上计算了厚度为 110 nm的 W0 .95 Ni0 .0 5 金属薄膜应变条在 In Ga As P/ In P双异质结构中形成的应力场分布 ,及由应力场分布引起的折射率变化 .在 W0 .95 Ni0 .0 5 金属薄膜应变条下半导体中 0 .2— 2μm深度范围内 ,由应变引起条形波导轴中央的介电常数 ε相应增加 2 .3× 10 - 1— 2 .2× 10 - 2 (2 μm应变条宽 )和 1.2× 10 - 1— 4.1× 10 - 2(4μm应变条宽 ) .同时 ,测量了由 W0 .95 Ni0 .0 5 金属薄膜应变条所形成的 In Ga As P/ In P双异质结光弹效应波导结构导波的近场光模分布 .从理论计算和实验结果两方面证实了 In Ga As P/ In P
%K WNi/semiconductor contact
%K photoelastic effect
%K InGaAsP/InP double heterostructures
%K planar waveguide devices<br>WNi/半导体接触
%K 光弹效应
%K InGaAsP/InP双异质结构
%K 平面型波导器件
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=6DBD20E6697BA0EC&yid=14E7EF987E4155E6&vid=BC12EA701C895178&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=5EB19D41D7A73119&eid=7CD511FB1661A334&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=13