%0 Journal Article
%T Cd_（1－x）Mn_xTe／CdTe多量子阱的光反射研究
%A 章灵军
%A 单伟
%A 姜山
%A 沈学础
%J 半导体学报
%D 1994
%I 
%X 本文首次报道用光调制光谱（ＰＲ）研究了Ｃｄ１－ｘＭｎｘＴｅ／ＧｄＴｅ半磁半导体多量子阱的能带结构和带间跃迁，观察到多量子阱的各子能级激子跃迁１１Ｈ．１１Ｌ，２２Ｈ，３３Ｈ等，并得到轻重空穴分裂为１８ｍｅＶ．当能带偏移Ｑｃ＝０．９０时，理论计算的子带跃迁能量与调制光谱结果符合很好．发现低温时第二子能级跃迁比第一子能级跃迁更强，并给出了初步解释，通过变温测量，测得各子能级的温度系数并与纯ＣｄＴｅ及Ｃｄ１－ｘＭａｘＴｅ混晶体材料的温度系数作了比较．
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=12F7029CF30E1EA4&yid=3EBE383EEA0A6494&vid=23CCDDCD68FFCC2F&iid=38B194292C032A66&sid=73579BC9CFB2D787&eid=E114CF9BB47B65BE&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0