%0 Journal Article
%T 氢氟酸电解腐蚀硅制备的量子线阵的光致发光
%A 张丽珠
%A 段家怟
%A 张伯蕊
%A 金鹰
%A 秦国刚
%J 半导体学报
%D 1992
%I 
%X 在氢氟酸溶液中电解腐蚀作为阳极的单晶硅,制备了硅量子线阵.根据其光致发光谱估算了量子线横截面平均边长为2.4—3.1纳米.研究了光致发光带的峰位对单晶硅电阻率,电解液成分,电解电流密度及电解时间等量的依赖关系.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=0BF14F4D306DADD5&yid=F53A2717BDB04D52&vid=FC0714F8D2EB605D&iid=38B194292C032A66&sid=23104246A5FCFCEF&eid=2BA123C6EB9D54C2&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0