%0 Journal Article
%T 实现SOI结构的ELO方法中SiO_2上Si多晶核的形成与抑制
%A 阎春辉
%A 刘明登
%A 全宝富
%A 朱袁正
%A 张旭光
%A 王阳元
%J 半导体学报
%D 1991
%I 
%X 本文从分析Si在SiO_2上成核的一般过程出发,利用新的成核理论,分析出影响成核的重要因素是氢吸附;并着重针对ELO过程的特点,通过大量实验研究了各种条件对成核的影响,找到了既能完全抑制多晶成核又能实现侧向生长的最佳工艺条件.根据实验中测得的临界成核时间及沉积自由区宽度,采用间歇生长技术在20μm宽的SiO_2条上完全抑制了多晶成核,而加入 Br_2的生长/腐蚀循环工艺则在 30μm宽的SiO_2上完全抑制了多晶成核,为获得高质量的SOI材料打下了良好的基础.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=2F37B6B27BDD2B1B&yid=116CB34717B0B183&vid=59906B3B2830C2C5&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=B4F9D541F855CF96&eid=90075EB19043D533&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0