%0 Journal Article
%T CMOS工艺中横向双极型晶体管的直流与交流电学特性
%A 马槐楠
%A Eric A.Vittoz
%A 徐葭生
%J 半导体学报
%D 1991
%I 
%X 在 CMOS工艺结构中,将位于阱中的 MOS 器件加适当的偏置,可以使其变为体内器件、以横向双极管的模式工作.本文利用 3μm P-well和 2μm N-well两种 CMOS工艺设计了这种横向双极器件,分析讨论了这种器件的工作原理和特点,并给出其典型的直流和交流参数的实验数据.这些分析和实验数据将有助于电路设计者了解和掌握该器件的电流、频率工作范围及特性,以便在CMOS电路中充分发挥其特长.
%K CMOS
%K 器件
%K 工艺
%K 双极晶体管
%K 性质
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=C04C4F68781BA151&yid=116CB34717B0B183&vid=59906B3B2830C2C5&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=DEBDB7F30FBA7F9B&eid=D8414BC1307BF1A3&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=1