%0 Journal Article
%T MBE HgCdTe:A Challenge to the Realization of Third Generation Infrared FPAs
%A He Li
%A Chen Lu
%A Wu Jun
%A Wu Yan
%A Wang Yuanzhang
%A Yu Meifang
%A Yang Jianrong
%A Ding Ruijun
%A Hu Xiaoning
%A Li Yanjin
%A Zhang Qinyao
%A
He Li
%A Chen Lu
%A Wu Jun
%A Wu Yan
%A Wang Yuanzhang
%A Yu Meifang
%A Yang Jianrong
%A Ding Ruijun
%A Hu Xiaoning
%A Li Yanjin
%A Zhang Qinyao
%J 半导体学报
%D 2006
%I
%X 叙述了围绕第三代红外焦平面的需求所进行的HgCdTe分子束外延的一些研究结果.75mm HgCdTe薄膜材料的组分均匀性良好,80K下截止波长偏差为0.1μm.对所观察到的HgCdTe表面缺陷成核机制进行了分析讨论,获得的75mm HgCdTe材料平均表面缺陷密度低于300cm-2.研究发现As的表面黏附系数很低,对生长温度十分敏感,在170℃下约为1×10-4.计算表明,As在HgCdTe中的激活能为19.5meV,且随(Na∑Nd)1/3的增大呈线性下降关系,反比系数为3.1×10-5meV·cm.实验发现Hg饱和蒸汽压下,对应不同的温度240,380,440℃,As在HgCdTe中的扩散系数分别为(1.0±0.9)×10-16,(8±3)×10-15,(1.5±0.9)×10-13cm2/s.采用分子束外延生长的HgCdTe材料已用于红外焦平面探测器件的研制,文中报道了一些初步结果.
%K MBE
%K HgCdTe
%K infrared focal plane arrays
分子束外延
%K 碲镉汞
%K 红外焦平面
%K MBE
%K HgCdTe
%K infrared
%K focal
%K plane
%K arrays
%K 第三代
%K 红外焦平面
%K 技术挑战
%K HgCdTe
%K 分子束
%K 外延
%K FPAs
%K Infrared
%K Generation
%K Realization
%K pressure
%K temperatures
%K diffusion
%K coefficients
%K slope
%K decreases
%K activation
%K energy
%K surface
%K defects
%K during
%K growth
%K temperature
%K sensitive
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=25DD3D91216A78BB&yid=37904DC365DD7266&vid=DB817633AA4F79B9&iid=38B194292C032A66&sid=B9B90065CF5CD7F0&eid=117BC32987199759&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=15