%0 Journal Article
%T 硅分子束外延中硼δ掺杂生长研究
%A 陈祥君
%A 杨宇
%A 龚大卫
%A 陆昉
%A 王建宝
%A 樊永良
%A 盛篪
%A 孙恒慧
%J 半导体学报
%D 1995
%I 
%X 利用硅分子束外延技术和Ｂ２Ｏ３掺杂源，成功地实现了硅中的硼δ掺杂，硼δ掺杂面密度ＮＢ可达３．４e１４ｃｍ－２（１／２单层）以上，透射电镜所示宽度为１．５ｎｍ．我们首次用原位俄歇电子能谱（ＡＥＳ）对硼在Ｓｉ（１００）表面上的δ掺杂行为进行了初步的研究，发现在ＮＢ＜３．４e１４ｃｍ－２时，硼δ掺杂面密度与时间成正比，衬底温度６５０℃，掺杂源温度９０００℃时，粘附速率为４．４e１３ｃｍ－２／ｍｉｎ；在ＮＢ＞３．４e１４ｃｍ－２时，粘附有饱和趋势，测量表明在硼δ掺杂面密度ＮＢ高达４．４e１４ｃ
%K 硅
%K 分子束外延
%K 硼
%K 掺杂
%K 外延生长
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=AF966A9CA7B42710&yid=BBCD5003575B2B5F&vid=7801E6FC5AE9020C&iid=708DD6B15D2464E8&sid=4C69616AE50D2DDC&eid=CE16DE2ABCD4D365&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=3&reference_num=6