%0 Journal Article
%T Influence of Boron Atom on Growth of Ge Quantum Dots on Si(100)<br>硼原子对Si(100)衬底上Ge量子点生长的影响
%A ZHOU Xing
%A |fei
%A SHI Bin
%A JIANG Wei
%A |rong
%A HU Dong
%A |zhi
%A FAN Yong
%A |liang
%A GONG Da
%A |wei
%A ZHANG Xiang
%A |jiu
%A JIANG Zui
%A |min
%A <br>周星飞
%A 施斌
%A 蒋伟荣
%A 胡冬枝
%A 樊永良
%A 龚大卫
%A 张翔九
%A 蒋最敏
%J 半导体学报
%D 2000
%I 
%X 研究了硼原子对 Si( 1 0 0 )衬底上 Ge量子点自组织生长的影响 .硼原子的数量由 0单原子层变到 0 .3单原子层 .原子力显微镜的观察表明 ,硼原子不仅对量子点的大小 ,而且对其尺寸均匀性及密度都有很大影响 .当硼原子的数量为 0 .2单原子层时 ,获得了底部直径为 60± 5nm,面密度为 6× 1 0 9cm- 2 ,且均匀性很好的 Ge量子点 .另外 ,还简单讨论了硼原子对 Ge量子点自组织生长影响的机制 .
%K quantum dots
%K Ge
%K growth<br>量子点
%K Ge
%K 生长
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=42448EA0176B1444&yid=9806D0D4EAA9BED3&vid=659D3B06EBF534A7&iid=5D311CA918CA9A03&sid=849F08713EB6820A&eid=CA122BD5B2FF2137&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=3&reference_num=8