%0 Journal Article
%T 电容耦合三结单电子晶体管特性分析
%A 童明照
%A 蒋建飞
%A 蔡琪玉
%J 半导体学报
%D 1998
%I 
%X 本文基于电容耦合多个纳米隧道结串联结构的半经典模型，研究了三结单电子晶体管的基本方程，分析了其Ｉ－Ｖ特性，并对三结与两结单电子晶体管的特性进行了比较．结果表明，单电子晶体管的特性与常规晶体管有很大的差别，且三结单电子晶体管与两结单电子晶体管相比较，具有更高的灵敏度和更强的抗电磁干扰能力
%K 电容耦合
%K 三结
%K 晶体管
%K 单电子晶体管
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=B4E1A788B0184BE3&yid=8CAA3A429E3EA654&vid=2A8D03AD8076A2E3&iid=5D311CA918CA9A03&sid=70E3F4DEB0172F14&eid=C7B13290323C226E&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=2