%0 Journal Article
%T Evident Influence on Band Gap of InGaAsP/InP Multiple Quantum Well Structure by Capped Layer with Phosphorous Composition<br>含磷组分薄膜对InGaAsP/InP多量子阱无序处理的影响
%A Wang Yongchen
%A Zhang Xiaodan
%A Zhao Jie
%A Yin Jingzhi
%A Yang Shuren
%A Zhang Shuyun
%A <br>王永晨
%A 张晓丹
%A 赵杰
%A 殷景志
%A 杨树人
%A 张淑云
%J 半导体学报
%D 2002
%I 
%X 报道了采用不同的电介质薄膜 Si O2 、Si Ox Ny、Si3N4 和 Si Ox Py Nz 及其组合用于 In Ga As P/In P多量子阱材料的包封源 .在高纯氮气保护下经 85 0℃、7s的快速退火处理 ,结果发现 :含磷组分 Si Ox Py Nz 电介质薄膜包封下的 In-Ga As P/In P量子阱带隙展宽十分显著 ,高达 2 2 4 me V ,PL谱峰值波长蓝移 342 nm ,半宽较窄仅为 2 5 nm ,说明量子阱性能保持十分良好 ,并对此现象的成因做了初步分析
%K quantumwell well intermixing (QWI)
%K impurity
%K free vacancy diffusion (IFVD)
%K plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD)<br>量子阱混合互扩
%K 无杂质空位扩散
%K 等离子体增强化学气相淀积
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=EA57ADB121DA08DA&yid=C3ACC247184A22C1&vid=EA389574707BDED3&iid=38B194292C032A66&sid=44A4891E33BFF455&eid=69E4C201C13601F9&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=10