%0 Journal Article
%T 纳米硅薄膜结构特性研究
%A 韩伟强
%A 韩高荣
%A 丁子上.
%J 半导体学报
%D 1996
%I 
%X 在电容式耦合等离子体化学气相沉积系统中，使用高氢稀释硅烷为反应气体制备出了晶粒尺寸为２～１０ｎｍ的纳米微晶相结构的硅薄膜，使用高分辨电子显微镜（ＨＲＥＭ），Ｘ射线衍射谱（ＸＲＤ），Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）和红外光谱（ＩＲ）等结构分析手段检测了其结构特征．结果表明，纳米硅薄膜的晶格结构为畸变的金刚石结构．Ｘ射线衍射谱表明除了Ｓｉ（１１１）的２θ＝２８．５°和Ｓｉ（２２０）的２θ＝４７．３°处的衍射峰外，在２θ＝３２．５°处存在着一个强的异常峰．ＨＲＥＭ结果表明存在新的Ｓｉ结晶学结构与ＸＲＤ异常峰相关联．
%K 纳米硅薄膜
%K 结构特性
%K 硅薄膜
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=A92C04CAF4EE25A3&yid=8A15F8B0AA0E5323&vid=BCA2697F357F2001&iid=B31275AF3241DB2D&sid=DA74B62FE4348759&eid=0493D643315CD829&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=3&reference_num=6