%0 Journal Article
%T 纳米晶Ge颗料镶嵌SiO_2复合膜的多峰光致发光及其机理
%A 许怀哲
%A 朱美芳
%A 侯伯元
%A 陈光华
%A 马智训
%A 陈培毅
%J 半导体学报
%D 1997
%I 
%X 用射频（RF）共溅射和热退火处理的方法制备了纳米锗颗粒镶嵌SiO2复合薄膜（nc－Ge／SiO2），观察到了多峰的光致发光现象，发现随着激发光波长的增长，多峰发光谱的最强峰向低能方向移动，但是各子峰的位置不发生改变，而且不同样品的发光谱子峰位置非常一致．X射线光电子能谱（XPS）分析显示膜中不存在纳米晶硅成分，表明多峰光致发光与镶嵌在SiO2复合中的纳米锗颗粒有关。
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=1F74F361136557C8&yid=5370399DC954B911&vid=13553B2D12F347E8&iid=B31275AF3241DB2D&sid=84A93BA251D28205&eid=F27A401E323B6FAD&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0