%0 Journal Article
%T 808nm大功率量子阱激光器无吸收腔面镀膜的研究
%A 李秉臣
%A 彭晔
%A 廖显伯
%J 半导体学报
%D 1999
%I 
%X 用电子束反应蒸发法制备的ａＳｉ∶Ｈ膜和Ａｌ２Ｏ３膜组成的ａＳｉ∶Ｈ／Ａｌ２Ｏ３膜系，解决了ａＳｉ／Ａｌ２Ｏ３膜系在８０８ｎｍ波长有较强光吸收问题，吸收系数从２e３ｃｍ－１降低到可以忽略的程度．ａＳｉ∶Ｈ膜的光学带隙为１.７４ｅＶ左右．应用到８０８ｎｍ大功率量子阱激光器腔面镀膜上，其器件光电性能获得较大改善
%K 量子阱激光器
%K 腔面镀膜
%K 实验
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=905A31F87FB2F978&yid=B914830F5B1D1078&vid=A04140E723CB732E&iid=5D311CA918CA9A03&sid=6CDD207A90CE1EEC&eid=80BBC722D530DB8D&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=4&reference_num=0