%0 Journal Article
%T 注氮硅中光致发光现象及其机制的研究
%A 刘渝珍
%A 石万全
%A 陈志坚
%A 姚德成
%A 刘金龙
%A 谢侃
%A 刘振祥
%J 半导体学报
%D 1998
%I 
%X 通过能量为１００ｋｅＶ，剂量为１×１０１８ｃｍ－２的Ｎ＋注入到硅基体中，经１０００～１２００℃之间快速退火后，形成了含氧的硅与氮化硅镶嵌结构的薄膜层．在室温下观测到主要来自于４５ｎｍ表面层的能量分别为：３．３ｅＶ、３．０ｅＶ、２．８ｅＶ和２．２ｅＶ的光致发光．通过ＸＰＳ、ＡＥＳ的分析，确认了由于氧的插入，样品中Ｎ－Ｓｉ－Ｏ缺陷，Ｓｉ／ＳｉＯ２界面发光中心，分别是引起３．０ｅＶ和２．２ｅＶ的光致发光的主要原因．
%K 硅
%K 氮化硅
%K 光致发光
%K 半导体薄膜技术
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=8E93CF6421E6FE0E&yid=8CAA3A429E3EA654&vid=2A8D03AD8076A2E3&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=06DAE5E1DF7D0B6A&eid=93661EC4C0CCEA67&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=4