%0 Journal Article
%T MOS器件“鸟嘴区”电学特性研究
%A 戚盛勇
%A 金晓冬
%J 半导体学报
%D 1996
%I 
%X 随着ＭＯＳ器件尺寸的缩小，“鸟嘴区”对窄沟器件的电学特性已产生了明显的影响．本文研究了窄沟器件（Ｗ＝１．２μｍ，２μｍ）中“鸟嘴区”引起的栅电压对有效沟道宽度调制效应以及“鸟嘴”区域内载流子有效迁移率的变化规律，并对窄沟器件模型提出了修正公式．
%K MOS器件
%K 电学特性
%K 窄沟器件
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=1E8FFD56BEA4CD40&yid=8A15F8B0AA0E5323&vid=BCA2697F357F2001&iid=59906B3B2830C2C5&sid=F52FA2254444BE97&eid=0FCE62EC9DC00F5E&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=1