%0 Journal Article
%T 硅基上直流反应磁控溅射沉积优质ZnO薄膜及其性能研究
%A 李剑光
%A 叶志镇
%A 赵炳辉
%A 袁骏
%J 半导体学报
%D 1996
%I 
%X 本文报道采用改进的磁控Ｓ枪，利用直流反应磁控溅射技术，通过合理地控制调节，已成功地在硅衬底上制备出Ｃ轴取向高度一致的ＺｎＯ纳米级材料，其Ｘ射线衍射半高宽仅为０．７°．在用ＸＲＤ，ＸＰＳ等手段对其成份、结构分析的基础上，进一步对其反应溅射过程进行了研究．
%K 氧化锌薄膜
%K 磁控溅射沉积
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=1BD13702F398FA20&yid=8A15F8B0AA0E5323&vid=BCA2697F357F2001&iid=708DD6B15D2464E8&sid=A766A50385B9FB1F&eid=750AE535ABE3D62A&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=10&reference_num=5