%0 Journal Article
%T DCDC—20GHz射频MEMS开关(英文)
%A 朱健
%A 林金庭
%A 林立强
%J 半导体学报
%D 2001
%I 
%X 描述了 DC— 2 0 GHz射频 MEMS开关的设计和制造工艺 .开关为一薄金属膜桥组成的桥式结构 ,形成一个单刀单掷 (SPST)并联设置的金属 -绝缘体 -金属接触 .开关通过上下电极之间的静电力进行控制 ,其插入损耗及隔离性能取决于开态和关态的电容 .测试结果如下 :射频 MEMS开关驱动电压约为 2 0 V,在“开”态下 DC— 2 0 GHz带宽的插入损耗小于 0 .6 9d B;在“关”态下在 14— 18GHz时隔离大于 13d B,在 18— 2 0 GHz时隔离大于 16 d B.本器件为国内首只研制成功的宽带射频 MEMS开关
%K 微电子机械系统
%K 射频开关
%K 宽带
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=54096A1CCC57C079&yid=14E7EF987E4155E6&vid=BC12EA701C895178&iid=B31275AF3241DB2D&sid=C19D5524C51D7FE4&eid=6452E1221020E61F&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0