%0 Journal Article
%T 在超高真空系统中对硅表面进行电子束退火的L_(23)VV Auger能谱精细结构分析
%A 卢志恒
%A 王大椿
%A 罗晏
%A 苏颖
%A R.Pfandzelter
%J 半导体学报
%D 1993
%I 
%X 本文首先报道了在清洁的Si(100)表面观察到L_(23)VV的7条Auger精细谱线。经过短时间的电子束退火后又观察到能量为62.8eV和68.1eV两条谱线。前者可以用Si-O系统。L_(23)(Si)L_1(O)O_1(O)的交叉跃迁来解释;后者虽已有报道,但在解释上引起争议。本文根据实验认为它与C在Si表面的吸附有关。
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=E2A1D6C2EFBEEE58&yid=D418FDC97F7C2EBA&vid=F3583C8E78166B9E&iid=708DD6B15D2464E8&sid=08B2E838F29A693A&eid=80BBC722D530DB8D&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0