%0 Journal Article
%T Si/Co/GaAs体系中界面反应的竞争机制
%A 金高龙
%A 陈维德
%A 许振嘉
%J 半导体学报
%D 1993
%I 
%X 本文采用AES、XRD和TEM等技术对Si/Co/GaAs三层结构的界面反应作了较详细的研究。结果表明:Si/Co与Co/GaAs两界面的反应具有一定的相似性,即当退火温度低于300℃时,两界面都保持完整;当退火温度高于400℃时,两界面都发生了化学反应,并形成相应的化合相。由于两界面的初始反应条件相近,因而界面反应存在着竞争机制,通过进一步的实验,结果表明;Si/Co界面的反应速度要比Co/GaAs的快,从而为在GaAs衬底上形成CoSi_2/GaAs金半接触提供了有利条件。
%K 金属半导体
%K 界面
%K 结构
%K Si／Co／GaAs
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=236A3CC7146BCD7A&yid=D418FDC97F7C2EBA&vid=F3583C8E78166B9E&iid=708DD6B15D2464E8&sid=8243B77967FFD12E&eid=710C005323C0774A&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=6