%0 Journal Article
%T 用分子束外延在多孔硅衬底上外延单晶硅来实现SOI结构
%A 周国良
%A 盛篪
%A 樊永良
%A 张翔九
%A 俞鸣人
%A 黄宜平
%J 半导体学报
%D 1991
%I 
%X 用 HF溶液对单晶Si片进行阳极化处理,形成多孔 Si.将多孔Si衬底放入超高真空室在小剂量的Si原子束辐照下进行加热处理,在较低温度下(725—750℃)获得了清洁有序的表面.用分子束外延在多孔Si上生长了1-2μm的单晶Si膜,其卢瑟福背散射沟道产额极小X_(min)<3％,表明外延膜的单晶性能良好.SOI结构已通过随后的侧向氧化多孔Si层获得.
%K 分子束外延
%K 单晶硅
%K SOI结构
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=15B0BC62C10E46B2&yid=116CB34717B0B183&vid=59906B3B2830C2C5&iid=94C357A881DFC066&sid=F50A8B5513721E1C&eid=2AC7DCCBBC26ECF8&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=2