%0 Journal Article
%T 共溅射W-Si薄膜的快速热退火及其热氧化研究
%A 陈存礼
%A 李建年
%A 华文玉
%J 半导体学报
%D 1991
%I 
%X 淀积在SiO_2上的共溅射W-Si 薄膜,在高纯N_2中经200—1100℃的10秒钟快速热退火,用转靶X射线衍射、激光喇曼光谱、俄歇电子能谱、扫描电子显微镜、透射电子显微镜、四探针测量等不同手段研究了钨硅化物的形成.565℃退火出现了W_5Si_3相,退火温度高于755℃,稳定相WSi_2形成,但W_5Si_3相并不消失,一直与WSi_2共存.经考查,W_5Si_3的存在并不是由于在薄膜淀积或是退火形成硅化物的过程中引起缺硅而造成的,它对薄层电阻仅起部分影响作用,材料的电学性质最终仍由具有最低电阻率的稳态WSi_2相决定。WSi_2与W_5Si_3相高温热氧化时都不稳定,会分解并被氧化成SiO_2和WO_3。
%K W－Si薄膜
%K 溅射
%K 热退火
%K 热氧化
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=9687A7AB570B121245EBD73C75B78412&yid=116CB34717B0B183&vid=59906B3B2830C2C5&iid=E158A972A605785F&sid=A1266CF37D675CF1&eid=D6354F61445E9456&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=6