%0 Journal Article
%T 氩离子轰击对射频溅射法制备的a-SiC∶H膜退火形成6H-SiC的影响
%A 王辉耀
%A 王印月
%A 宋青
%A 王天民
%J 半导体学报
%D 1998
%I 
%X 本文对射频溅射法淀积的ａ－ＳｉＣ∶Ｈ膜热退火形成６Ｈ－ＳｉＣ相进行了研究．我们采用红外透射谱、喇曼背散射谱和Ｘ光衍射谱来研究退火形成６Ｈ－ＳｉＣ的过程．在较高的射频功率下淀积的ａ－ＳｉＣ∶Ｈ膜经８００℃６０分钟等时退火后转变为６Ｈ－ＳｉＣ相，该温度低于在低功率下制备的ａ－ＳｉＣ∶Ｈ形成６Ｈ－ＳｉＣ的温度（１０００℃）．高功率可导致６Ｈ－ＳｉＣ形成温度的降低与膜中硅及石墨团簇的消失，同时高能量的氩离子轰击可使膜中氢含量减少及各组分均相．通过改变射频功率，本文研究了氩离子轰击对ａ－ＳｉＣ∶Ｈ膜及形成６Ｈ－Ｓｉ
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=FFA234CF1891CC54&yid=8CAA3A429E3EA654&vid=2A8D03AD8076A2E3&iid=5D311CA918CA9A03&sid=1FA4E9C3E6E88FC8&eid=03EE8EDD44A3D4BE&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=0