%0 Journal Article
%T Pb(Zr,Ti)O_3铁电场效应晶体管的制备及性能研究
%A 于军
%A 周文利
%A 赵建洪
%A 谢基凡
%A 黄歆
%J 半导体学报
%D 1997
%I 
%X 采用PLD（PulsedLaserDeposition）工艺制备Au／Pb（Zr，Ti）O3／SiO2／Si异质结构．这种结构的铁电场效应晶体管（FFET）的电性能由I－V和C－V特性表征．Au／Pb（Zr，Ti）O3／SiO2／Si异质结构的C－V曲线表现为极化开关，对应500nmPZT，记忆窗口约3V．实验表明Au／PZT／SiO2／Si栅结构实现了铁电体场效应存储性能．
%K 铁电薄膜
%K 场效应晶体管
%K FET
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=E3102F847C8932C94CDD4B962DE1C6AF&yid=5370399DC954B911&vid=13553B2D12F347E8&iid=94C357A881DFC066&sid=23410D0BDB501DF5&eid=5F8BAECF36EB55E2&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=1