%0 Journal Article
%T Orange-Green Emission from Porous Si Coated with Ge Films<br>Ge覆盖多孔硅结构的桔绿光发射
%A TANG Ning
%A WU Xing long
%A GU Yi
%A BAO Xi mao
%A <br>唐宁
%A 吴兴龙
%A 顾沂
%A 鲍希茂
%J 半导体学报
%D 2001
%I 
%X 使用 5 14 .5 nm Ar+激光检测了 Ge覆盖多孔硅结构的光致发光谱 (PL) ,观察到峰位 2 .2 5 e V,半峰宽约 0 .1e V的一个新的桔绿发光峰 .随着覆盖 Ge薄膜的加厚 ,这个桔绿发光峰的峰位保持不变 ,但发光强度显著下降 .实验和分析结果表明 ,该桔绿发光峰源于多孔硅和嵌于其孔中的 Ge纳米晶粒两者界面中的 Ge相关缺陷
%K porous silicon coated with Ge Films
%K photoluminescene
%K spectral analysis<br>Ge覆盖多孔硅
%K 光致发光
%K 光谱分析
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=2225CF9A1AFB076B&yid=14E7EF987E4155E6&vid=BC12EA701C895178&iid=59906B3B2830C2C5&sid=D5FE4D327C08DA1B&eid=6A46E5A5880213FE&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=24