%0 Journal Article
%T Conductive Properties on Doping Nanometer Silicon Thin Films<br>掺杂nc-Si∶H膜的电导特性
%A PENG Ying
%A |cai
%A LIU Ming
%A HE Yu
%A |liang
%A LI Yue
%A |xia
%A <br>彭英才
%A 刘明
%A 何宇亮
%A 李月霞
%J 半导体学报
%D 2000
%I 
%X 采用常规 PECVD工艺 ,以高纯 H2 稀释的 Si H4 作为反应气体源 ,以 PH3作为 P原子的掺杂剂 ,在 P型 ( 1 0 0 )单晶硅 ( c- Si)衬底上 ,成功地生长了掺 P的纳米硅膜 ( nc- Si( P)∶ H)膜 .通过对膜层结构的 Raman谱分析和高分辨率电子显微镜 ( HREM)观测指出 :与本征 nc- Si∶H膜相比 ,nc- Si( P)∶ H膜中的 Si微晶粒尺寸更小 (～ 3nm) ,其排布更有秩序 ,呈现出类自组织生长的一些特点 .膜层电学特性的研究证实 ,nc- Si( P)∶ H膜具有比本征 nc- Si∶ H膜约高两个数量级的电导率 ,其 σ值可高达 1 0 - 1～ 1 0 - 1Ω- 1· cm- 1.这种高电导率来源于 nc-
%K Conductive Properties
%K Nanometer Silicon Thin Films<br>电导特性
%K nc-Si∶H膜
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=01007505D93D940C&yid=9806D0D4EAA9BED3&vid=659D3B06EBF534A7&iid=38B194292C032A66&sid=51C74DF6A16DA45B&eid=7737D2F848706113&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=6&reference_num=7