%0 Journal Article
%T 用常压CVD方法制备的氟掺杂的绒面SnO_2膜的电导特性
%A 张德恒
%A 马洪磊
%A 温卓尚
%J 半导体学报
%D 1996
%I 
%X 在１６～４００Ｋ的温度范围内，测量了用常压ＣＶＤ方法制备的氟掺杂绒面ＳｎＯ２薄膜的霍耳效应，研究了膜的电导率，载流子浓度和迁移率等电导参数对制备条件的依赖关系．电导对温度的依赖关系表明：简并的，晶粒较大的多品ＳｎＯ２∶Ｆ膜，在低于１００Ｋ的温度范围内，以电离杂质散射为主，在高于１００Ｋ的温度范围内，主要的散射机构是晶格散射．
%K 二氧化锡
%K 薄膜
%K 电导特性
%K 掺杂
%K 氟
%K CVD法
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=9F0DF084E1229073B6480D1D683F39F3&yid=8A15F8B0AA0E5323&vid=BCA2697F357F2001&iid=94C357A881DFC066&sid=0918129209B14F3E&eid=315A3D008C6ECFC8&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=2