%0 Journal Article
%T 退火对C_（60）薄膜电学性质的影响
%A 巩金龙
%A 李亚虹
%A 马国斌
%A 陈光华
%J 半导体学报
%D 1996
%I 
%X 本文研究了退火对Ｃ６０膜电导率的影响．结果表明，从室温到２００℃的温度范围内，Ｃ６０膜具有明显的半导体性质，室温电导率在１０－５～１０－７（Ω·ｃｍ）－１的范围内．薄膜在２００℃温度下恒温保持过程中，当时间小于２．５小时时电导率的增大是由于薄膜中不稳定的ｈｃｐ相的减少引起的；而相互通连的晶粒数目的减少导致退火时间大于２．５小时的薄膜电导率的减小．相互通连的晶粒数目的减少使得晶间势垒变高，从而使电导率变小．通连晶粒间缺陷的减少导致激活能变大，这些缺陷在Ｃ６０膜的能带中引入缺陷态．σ－１／Ｔ图中高温区域电导偏
%K C60
%K 薄膜
%K 电学性质
%K 退火
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=9F0DF084E12290736D55D6A9474C176C&yid=8A15F8B0AA0E5323&vid=BCA2697F357F2001&iid=94C357A881DFC066&sid=A5111BA190517959&eid=3356A7630A93A219&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=1