%0 Journal Article
%T InGaAs／InP超晶格材料的GSMBE生长研究
%A 孙殿照
%A 王晓亮
%A 李晓兵
%A 国红熙
%A 阎春辉
%A 李建平
%A 朱世荣
%A 李灵霄
%A 曾一平
%A 孔梅影
%A 侯洵
%J 半导体学报
%D 1995
%I 
%X 在国产第一台ＣＢＥ（Ｃｈｅｍｉｃａｌｂｅａｍｅｐｉｔａｘｙ）设备上，用ＧＳＭＢＥ（Ｇａｓｓｏｕｒｃｅｍｏｌｅｃｕｌａｒｂｅａｍｅｐｉｔａｘｙ）技术在国内首次研究了ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ匹配和应变多量子阱超晶格材料的生长，用不对称切换方法成功地生长了高质量的匹配和正负应变超晶格材料，并用双晶Ｘ－射线衍射技术对样品进行了测试和分析．结果表明，我们在国产第一台ＣＢＥ设备上用ＧＳＭＢＥ技术采用非对称切换方法生长的超晶格材料质量很好．
%K InGaAs
%K 磷化铟
%K 超晶格材料
%K GSMBE生长
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=6E9A0660A14F05C0&yid=BBCD5003575B2B5F&vid=7801E6FC5AE9020C&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=00B9006659EBD8AC&eid=B3AAD7DC3C912B50&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=0