%0 Journal Article
%T 硅双极晶体管的低温h_(FE)
%A 林兆军
%A 薄仕群
%J 半导体学报
%D 1997
%I 
%X 低温下hFE主要决定于发射效率γ和集电区倍增因子M．影响γ的是禁带收缩和基区费米能级．M则主要由中性杂质被碰撞电离而造成的电流倍增效应决定，并且这是一种自抑制效应，以上观点与实验结果基本相符合。
%K 双极晶体管
%K 低温hFE
%K 发射效率
%K 集电区倍增因子
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=3DFF10AC303EC2EA&yid=5370399DC954B911&vid=13553B2D12F347E8&iid=B31275AF3241DB2D&sid=B1989ED92BA7E896&eid=3389C664025A98F9&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=3