%0 Journal Article
%T MOS结构Si/SiO_2界面态的电荷泵测量
%A 张国强
%A 王国彬
%A 余学锋
%A 任迪远
%A 严荣良
%J 半导体学报
%D 1997
%I 
%X 建立了一套进行MOS结构Si／SiO2界面态电荷泵测量的测试系统，其发展的快速电荷泵技术可使界面态测量速度达到5次／秒．分析研究了泵电流与Si／SiO2界面态测量之间所应关注的技术细节．借助于电荷泵法，研究了PMOSFETSi／SiO2界面态在辐照和退火过程中生长和退火的行为规律．
%K MOS结构
%K 硅
%K 氧化硅
%K 界面态
%K 电荷泵
%K 测量
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=E3102F847C8932C9FD69E57F1CB66C30&yid=5370399DC954B911&vid=13553B2D12F347E8&iid=94C357A881DFC066&sid=A04F01817ECB9A48&eid=31125890FF093250&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=0