%0 Journal Article
%T 高质量GaAs－AlGaAs材料MBE生长研究及其应用
%A 杨国文
%A 肖建伟
%A 徐遵图
%A 郑婉华
%A 曾一平
%A 徐俊英
%A 张敬明
%A 陈良惠
%J 半导体学报
%D 1995
%I 
%X 通过对分子束外延（ＭＢＥ）中影响ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ材料生长的一些关键因素的分析、实验与研究，得到了具有很好晶格完整性和高质量电学、光学特性的ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ单晶材料，实现了７５ｍｍ大面积范围内的厚度、组分和掺杂等的很好均匀性．研制了高质量的ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱超晶格材料，并应用于量子阱激光器材料的研制，获得了具有极低阈值电流密度、低内损耗、高量子效率的高质量量子阶激光器外延材料．
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=A315E40D6A683764&yid=BBCD5003575B2B5F&vid=7801E6FC5AE9020C&iid=5D311CA918CA9A03&sid=821800203AD09E7B&eid=250DF325A002B9CC&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0