%0 Journal Article
%T Fabrication of 4H-SiC Buried-Channel nMOSFETs<br>4H-SiC埋沟MOSFET的研制(英文)
%A Gao Jinxia
%A Zhang Yimen
%A Zhang Yuming
%A <br>郜锦侠
%A 张义门
%A 张玉明
%J 半导体学报
%D 2004
%I 
%X 研制了4H-SiC热氧化生长氧化层埋沟nMOSFET.用室温下N离子注入的方法形成埋沟区和源漏区,然后在1600℃进行激活退火.离子注入所得到的埋沟区深度大约为0.2μm.从转移特性提取出来的峰值场效应迁移率约为18.1cm2/(V·s).造成低场效应迁移率的主要因素可能是粗糙的器件表面(器件表面布满密密麻麻的小坑).3μm和5μm器件的阈值电压分别为1.73V和1.72V.3μm器件饱和跨导约为102μS(VG=20V,VD=10V)
%K H-SiC
%K buried-channel
%K MOSFET
%K field-effect mobility<br>4H-SiC
%K 埋沟
%K MOSFET
%K 场效应迁移率
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=92CCF13AAF3941F7&yid=D0E58B75BFD8E51C&vid=C5154311167311FE&iid=59906B3B2830C2C5&sid=E0EA1E85C42D382D&eid=330226EF26D09028&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=4&reference_num=9