%0 Journal Article
%T Si掺杂B_4C半导体的热电性能
%A 蔡克峰
%A 南策文
%A 李世元
%J 半导体学报
%D 1998
%I 
%X 本文探讨了掺Ｓｉ对Ｂ４Ｃ半导体的热电性能（包括电导率、热导率及Ｓｅｅｂｅｃｋ系数）及显微结构的影响，应用小极化子跃迁机制，讨论了Ｓｉ掺杂Ｂ４Ｃ半导体的传输行为
%K 碳化硼
%K 硅
%K 半导体材料
%K 掺杂
%K 热电性能
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=FBEE9AD3C1449C45D7474A3DB01EB2DD&yid=8CAA3A429E3EA654&vid=2A8D03AD8076A2E3&iid=5D311CA918CA9A03&sid=57EA20F731155703&eid=90773C2285A2F0BB&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=0