%0 Journal Article
%T Analysis of Nitrogen-Doped Diamond-Like Carbon Films by Electrochemical C-V Method<br>掺氮类金刚石薄膜的电化学C-V研究
%A Cheng Xiang
%A Chen Chao
%A Xu Fuchun
%A Liu Tielin
%A <br>程翔
%A 陈朝
%A 徐富春
%A 刘铁林
%J 半导体学报
%D 2004
%I 
%X 采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF- PECVD)法携带N2 或NH3制备掺氮的类金刚石(DL C∶N)薄膜,对不同掺杂方法得到DL C∶N薄膜进行电化学C- V测量.I- V和C- V曲线表明,不论是采用N2 或是NH3进行掺杂都得到n型的DL C薄膜,掺NH3的样品载流子浓度能达到更高.根据样品的电化学C- V测量结果并结合X射线光电子能谱,详细研究了DL C∶N薄膜载流子浓度的纵向分布,发现在靠近薄膜与衬底界面处附近即生长初期N的掺杂浓度分布较高
%K N-doped diamond-like carbon film
%K electroche mical capacitance-voltage
%K X-ray photoelectron spectra<br>掺氮类金刚石薄膜
%K 电化学C-V
%K X射线光电子能谱
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=425850D23A53FCF8&yid=D0E58B75BFD8E51C&vid=C5154311167311FE&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=8A87B19A95331EA5&eid=0DC551EE075D9D73&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=4&reference_num=18