%0 Journal Article
%T 注C~＋硅多孔结构的蓝光发射
%A 廖良生
%A 鲍希茂
%A 闵乃本
%J 半导体学报
%D 1995
%I 
%X 对单晶硅进行Ｃ＋注入，注入能量为５０ｋｅＶ，注入剂量为１e１５～１e１７／ｃｍ２．在Ｎ２中经９５０℃退火１小时后，注入层形成尺寸为１～３μｍ的β－ＳｉＣ沉淀．进而采用电化学腐蚀方法将样品制成多孔结构．在紫外光激发下，样品可以发射强度较大的蓝光，光强是通常多孔硅的数倍以上，谱峰处于４８０ｎｍ和５０５ｎｍ附近．这一方法简便有效地实现了硅基材料的蓝光发射．
%K 多孔硅
%K 蓝光发射
%K 光致发光
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=19829A1876D9E2A6E7B22CC7AD17C00E&yid=BBCD5003575B2B5F&vid=7801E6FC5AE9020C&iid=E158A972A605785F&sid=AA5FB09E1F81059E&eid=EC34D52BE81085CE&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=0